Le 10 Décembre 2012, IBM a annoncé une véritable rupture technologique : l’intégration de différents composants optiques côte-à-côte avec des circuits électriques sur une seule puce de silicium et avec une technologie 90 nm. Toutefois, le développement de sources laser sur puce est toujours une partie limitante dans ce schéma d’intégration. L’hétéro-épitaxie des matériaux III-V sur silicium au niveau "front-end" serait une solution industrielle très prometteuse, à condition que la zone optiquement active III-V reste très proche de l’interface III-V/Si (typiquement en-dessous de 300 nm) pour augmenter le niveau d’intégration. Dans ce contexte, les stratégies existantes pour limiter la propagation des défauts ne sont plus pertinentes, car elles nécessitent des couches tampon III-V de grande épaisseur. La seule solution possible consiste à contrôler la génération de défauts à l’interface III-V/Si.
Le projet Antipode a les trois objectifs suivants :
Compréhension du mécanisme de nucléation 3D des semi-conducteurs III-V (y compris la génération de défauts au cours de la coalescence) et de la relaxation des contraintes sur silicium.
Compréhension de la nature et du rôle des charges d’interface sur la génération des défauts.
Compréhension de l’influence de la surface initiale du silicium sur la génération des défauts.
Antipode fait suite au projet ANR « Jeune Chercheur » Sinphonic terminé en décembre 2014 se proposant d’étudier la croissance épitaxiale du GaP(N) sur Si.
IES – CRHEA – CEMES – LPN – IPR
(groupe(s) Foton impliqué(s) : Matériaux MBE, Simulation)
Foton (responsable Charles CORNET)
ANR (500 k€)
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