Les équipements de NanoRennes
En particulier, la plateforme Nanorennes liée à Foton-OHM maitrise la croissance MBE sur substrats InP et Si, les caractérisations optiques (UV à IR), et les technologies associées à la réalisation de composants photoniques. Les principales ressources technologiques sont les suivantes :
 Photolithographie- 2 spin coaters
- 2 aligneurs de photolithographie UV (Suss Microtec MJB4 et MJB3)
- Taille des wafers : < 3 pouces
- résolution 0.8 µm
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 Dépôt de couches minces
 Métalliques : 4 réacteurs
- Évaporateur à canon à électron Temescal
- Métaux : Au, Pt, Ti, Ge, Pd, Ni
- Contrôle d’épaisseur
- Taille des wafer < 3 pouces, jusque 6 wafers en simultanée
- Homogéinité < 5 %
- Évaporateur Joules Leybold
- Métaux : Au, Al, In, Zn, Cu, ..
- Wafer < 2 pouces
- Pulvérisateur cathodique Leybold
- Métaux : Au, AuGe, Ti
- Wafer < 2 pouces
- Pulvérisateur Alcatel
- Métaux : Ti, alliages spéciaux de Ti
- Taille des wafers < 2 pouces
Diélectriques : 2 réacteurs
- PECVD Plasmatechnology
- Dépôt de Si3N4, SiO2 à 300 °C
- Taille des wafers <3 pouces, 4 plaques en simultanée
- Homogéinité : 5 %
- Pulvérisateur cathodique Leybold
- Dépôt de Si et SiN
- Taille des wafers < 2 pouces
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 Gravure
Chimique (pour le traitement des semiconducteurs (Si, InP, GaP, GaAs), des organiques (résines, BCB, ..), des métaux (Au, Ti, Al ..), des diélectriques (SiO2 ; Si3N4, ..)
Sèche : 2 réacteurs de gravure RIE
- RIE Plassys MG100
- chimie SF6/O2 (gravure organique, diélectriques)
- taille des wafers < 4 pouces
- contrôle interférométrique
- RIE Alcatel GIR 300
- chimie H2/CH4 (gravure InP)
- taille des wafers < 3 pouces
- contrôle interférométrique.
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 Traitement thermique- Hot plate en atmosphère inerte (N2), température < 400 °C
- Four à recuit rapide RTA Jipelec
- Sous vide, atmosphère inerte (N2/H2)
- Température < 1300 °C
- Rampe 150 °C/s
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 Back-end- Découpe des wafers par clivage et pointe diamantée, Karl Suss
- Taille des wafers < 3 pouces
- Pression de la pointe diamantée ajustable
- Microcableuse Kulicke and Soffa
- Taille < 4 pouces
- Fils d’or, d’aluminium 50 µm
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Contrôle- 2 microscopes optiques
- Un profilomètre à stylet Temcor
- Station de mesure électriques sous pointes (I(V))
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