La croissance de semiconducteurs III-V sur substrats de silicium a été motivée en premier lieu par l’abaissement drastique des coûts que représente l’économie de substrats III-V et par la compatibilité de futurs composants basés sur ces matériaux aux chaînes de production de l’industrie du silicium. Cette intégration directe, étudiée depuis plus de 30 ans, est particulièrement complexe. Elle est notamment la cause de l’apparition de défauts cristallins originaux dans la couche III-V, appelés parois d’antiphase. Ces défauts ont longtemps été considérés comme l’ennemi à abattre pour le développement de composants opto-électroniques : lasers ou cellules photovoltaïques.
Mais il est possible de prendre le problème à l’envers : Quels composants peuvent bénéficier des propriétés spécifiques de ces défauts cristallins ? Cet exposé sera consacré à l’introduction des propriétés structurales et opto-électroniques des domaines et parois d’antiphase dans les semiconducteurs III-V épitaxiés sur Si. Nous verrons alors que ces défauts peuvent constituer une richesse pour le développement de composants photoniques non-linéaires au second ordre ou encore pour l’émergence de nouveaux designs de composants pour la photo-génération d’hydrogène. La présentation de mes perspectives de recherches dans les domaines de la photonique et de l’énergie conclura l’exposé.
En présence du jury :
| Véronique BARDINAL | LAAS, Toulouse |
| Dries VAN THOURHOUT | IMEC, Ghent |
| Guillaume CASSABOIS | LCC, Montpellier |
| Ivan FAVERO | LMPQ, Paris |
| Jean-Christophe HARMAND | C2N, Paris |
| Marc VALLET | Institut Foton, Rennes |
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