Ces dernières années ont vu le fort développement des études sur les nanostructures à base d’antimoniures, motivées par leurs applications dans les composants pour l’infrarouge (lasers 3-5 µm, laser cascade courtes longueurs d’onde, détecteur à raccordement de bande de type II, laser à boites quantiques). Il est apparu que cet élément V conduisait à des phénomènes nouveaux (effet surfactant, relaxation plastique…) qui modifiaient fortement la croissance par épitaxie par jets moléculaires. Aussi il est apparu que malgré l’obtention de composants performants, des études fondamentales sur l’effet de l’antimoine sur la contrainte épitaxiale et sa relaxation étaient nécessaires.
Le principal objectif scientifique attendu est une meilleure compréhension de l’effet de l’antimoine sur la relaxation de la contrainte, sur la croissance de couches très contraintes et sur la formation des interfaces AlSb/InAs. D’un point de vue plus spécifiquement FOTON, l’obtention de puits InAs/AlAsSb très épais ( >8 monocouches atomiques) ainsi que la symétrisation de la contrainte induite permettraient l’obtention de structures permettant une transition interbande à 1.55 µm, intéressante pour la réalisation de composants telecom innovants.
IES Montpellier – CEMES Toulouse
(groupe(s) Foton impliqué(s) : Matériaux MBE – Caractérisation)
Anne Ponchet
(responsable Foton : Nicolas BERTRU)
Il s’agit d’un projet ANR blanc (SIMI nanosciences), pour lequel une somme de 89 000 euros sera allouée à Foton.