Les îlots quantiques d’InGaAs dans une matrice de GaP sont intéressants pour des applications dans les domaines de la photonique et des nanomémoires. La méthode de croissance de Stranski-Krastanow pour la fabrication auto-organisée de boîtes quantiques cohérentes est difficile à cause du grand désaccord de maille et de l’énergie de surface élevée du GaP. L’insertion de quelques monocouches de GaAs entre les matériaux de boîtes et de matrice s’est révélée un moyen efficace pour l’obtention d’îlots quantiques sans défauts en employant la méthode de croissance de Stranski-Krastanow. Les images STM de la section transverse montrent la formation de boîtes quantiques de forme pyramidale tronquée, avec un noyau riche en Indium. L’analyse de la stœchiométrie locale révèle une migration d’Indium de la couche de mouillage vers les îlots au cours de la croissance, et un brassage d’anions de la couche de mouillage.
InGaAs quantum dots (QDs) in GaP matrix are interesting for applications in photonics and nanomemory cells. The application of Stranski-Krastanow growth for the self-organized fabrication of coherent QDs is complicated by the large lattice mismatch and a high surface energy of GaP. The insertion of a few monolayers of GaAs between dot and matrix materials has proved a successful means for obtaining defect-free quantum dots employing Stranski-Krastanow growth. Cross-section STM images show the formation of QDs with a truncated pyramidal shape and an In-rich core. The analysis of the local stoichiometry reveals an In migration from the wetting layer to the QDs during growth and an anion intermixing of the wetting layer.
Prof. Dr. Udo W. POHL
Technische Universität Berlin
Institut für Festkörperphysik EW5-1
Hardenbergstr. 36
10623 Berlin
Germany
http://www.physik.tu-berlin.de/institute/IFFP/
